內存實用基礎多篇

對於電腦內存，可能大家都覺得內存影響不到遊戲幀數，但這其實是非常片面的。舉個例子，在玩絕地求生時，按下TAB鍵會卡頓或者遊戲忽然掉幀，那就是內存不足導致的。下面就讓小編帶你去看看內存實用基礎大全，希望能幫助到大家!

又到了學點內存知識的季節

什麼是DDR?

DDR，全稱：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random AccessMemary，即，雙數據速率同步動態隨機存取記憶體，也就是我們常用的內存，它從SDRAM的基礎上發展起來，以後依次出現了DDR SDRAM、DDR2SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它們的能效不斷提升。文章結尾附一張純良心內存能效參數表。

DDR間有什麼區別?

1、SDRAM

SDRAM內部組成如，可見其組成可以分爲幾個部分，存儲陣列、IO門控單元、行列地址解碼器、行列地址鎖存器、邏輯控制單元(包含模式寄存器)、數據輸入輸出寄存器等。

存儲矩陣內部結構，以8位內存單元爲例，每個內存單元的數據輸出是並聯在一起，通過行列地址線選中一個存儲單元，

存儲容量大小和數據位寬度、行地址、列地址、塊數量等的關係：

單片容量(bit)=單片位寬×行數×列數×塊數量

2、DDR

SDRAM

DDR的內部結構與SDRAM相比，數據讀寫部分改進比較大。其一，使用了兩位預讀取的技術;其二，增加了DLL(delay lockloop演示鎖定迴路);其三，增加了數據掩碼控制和數據總線反轉控制;此外，時鐘信號和數據選通信號改爲差分信號。

3、DDR2

SDRAM

DDR2 SDRAM整體佈局變化不大，在輸入輸出數據總線接口上變化比較多。

DDR2在DDR的基礎上增加了ODT(on-dietermination片上終結，即通過內部邏輯選擇合適的終端電阻進行匹配)功能，預讀取提高到了4位，即每傳輸4個字節/字，只有第一個字節/字有潛伏期。

4、DDR3

SDRAM

DDR3 SDRAM在輸入輸出數據總線接口上繼續提升性能，在存儲結構上改進工藝，堆疊更多的存儲塊，提高單顆芯片的容量。

在功能上的改進有，增加了讀寫平衡功能。

5、DDR4

SDRAM

DDR4SDRAM在輸入輸出數據總線接口上繼續改善性能，在存儲結構上繼續改進工藝，不僅堆疊更多的存儲塊，而且使用硅片穿孔工藝把把堆疊成的存儲塊進行並列放置，集中到一顆芯片中，提高單顆芯片的容量。

內存的一些簡單入門知識

首先是大家都知道的，也是百度百科的資料，內存是什麼?

內存條是連接CPU 和其他設備的通道，起到緩衝和數據交換作用。當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據，但由於硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的工作效率大打折扣!爲了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”——內存。

內存的特點是存儲速度快。內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。我們平常使用的程序，如QQ、瀏覽器、遊戲，包括WINDOWS系統，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，其實都是在內存中進行的。就好比在一個書房裏，存放書籍的書架或書櫃相當於電腦的外存，而我們工作的辦公室就是內存。通常我們把要永久保存的、大量的數據存在外存上，當然內存的好壞會直接影響電腦的運行速度。

內存的發展歷史

內存分爲DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特徵是斷電後數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種;後者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啓動的是存於主板上ROM中的BIOS程序，然後再由它去調用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特徵是斷電後數據不會丟失。

而我們平時所說的“內存條”則隸屬於DRAM類別下的SDRAM家族。

第一代 SDR SDRAM

第二代 DDR SDRAM

第三代 DDR2 SDRAM

第四代 DDR3 SDRAM

第五代DDR4 SDRAM

我們現在常用的DDR4就是第五代內存了!

關於內存頻率、時序還有電壓的一些解釋

所謂內存頻率，就是我們經常說的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，後面這些數字就是內存頻率。

一般情況下，內存頻率的高低，決定了內存性能的強弱。內存頻率越高，內存帶寬也就越高，正常工作的速度會更快。

關於內存時序，也就是我們在CPU-Z裏面所看到的數字了。

內存時序是描述內存條性能的一種參數，一般存儲在內存條的SPD中。這些參數設置的越小，內存處理數據越快，但是也越不穩定;反之較慢，但是穩定性提高，因此需要設置合適的內存時序。一般DDR42133的內存默認時序是15-15-15-35…

關於內存電壓，每代內存電壓都是有一個標準範圍的。比如我們現在用的DDR4內存電壓默認爲1.2V，超頻也最好不要超過1.5V;而DDR3的內存則是從1.5-2.0V;DDR2則是2V起步。

現在內存所支持的XMP是什麼?

Intel XMP全名是Extreme Memory Profile，是針對DDR3模塊而推出的一項認證。

其主要功能就是高階的內存設定，內存廠商除了會在內存預設普通的SPD值外，另外亦會寫入更爲高速的設定。當然，廠商們可以任意替旗下的內存模塊寫進更加高速的設定，但這樣就沒有任何穩定性的保證及標準，所以業界便引入XMP設計。

XMP會在內存地址176-254中記錄內存的速度，而最多可以保存2組的設定值。廠商們如需要得到XMP的認證，就必須把內存及該設定送交Intel測試，通過後就會給予認證。Intel推出這個標準，其主要用意是針對高效能市場，玩家使用具備了XMP的內存，就能夠直接提升工作平臺的效能。

內存時序和頻率的一些問題?

這時候我們就需要舉個例子了，以宇瞻黑豹DDR4 2400的內存和影馳名人堂HOF DDR4 2400內存來對比。

延遲對比：

宇瞻黑豹DDR4 2400 16-16-16-36 CL16 延遲計算 (1/2400MHz)__16=6.67納秒

宇瞻黑豹DDR4 2133 15-15-15-35 CL15 延遲計算 (1/2400MHz)__15=6.25納秒

然後計算帶寬(按照雙通道計算，內存帶寬128bit)：

2400 ： 2400MHz__128bit/8= 38400MB/S

2133 ： 2133MHz__128bit/8= 34128MB/S

內存延遲意味着內存的反應速度。我們知道，CPU讀寫內存的事情，首先是要告訴內存，要讀寫某個地址的數據，意味着CPU要先發送某個地址代碼給內存，內存接收到後，編譯準備好的這段時間爲內存延遲時間。

當內存準備好了數據反饋給CPU，CPU開始讀寫內存，這時候，內存的帶寬是主要作用，一直到數據傳輸完成，然後重複上一步操作，這就是內存和CPU的工作原理(簡單通俗的講，實際比這個複雜多了)

所以我們可以分兩種情況，當CPU讀寫內存數據量很大，而且是連續的時候，內存帶寬影響最大;當CPU讀寫的內存數據非常零碎，且零碎數據很多，這時候的低延遲的內存速度回更快。

這也解釋了核顯對於雙通道高頻內存的需求，圖形數據一般都是大量並且連續的，AMD的APU需要高頻雙內存的原理，就是這麼來的。

關於內存超頻的一些問題

內存超頻跟內存顆粒的體制是肯定有最爲直接的關係的。然後還有就是主板bios的設計、主板bios的優化水平，CPU集成的內存控制器等等原因，都是有影響的!

我們所看到某些支持XMP內存和主板，在某種程度上，可以認爲是廠商預先保留的超頻選擇，直接在bios開啓即實現超頻。

當然，我們普通的內存一樣是可以超頻的，具體要看實際平臺和內存等等來操作，基本原理也就是時序、頻率和電壓了，每個人的情況都不一樣，需要自己去調試才行。

好了，今天的每日一薦到此結束，臨時洋洋灑灑寫了1900個字，明天還不知道寫啥，希望大家給我一些建議和提示!

內存知識詳解：接口類型

接口類型，是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的。金手指上的導電觸片，也習慣稱爲針腳數(Pin)。因爲不同的內存採用的接口類型各不相同，而每種接口類型所採用的針腳數各不相同。筆記本內存一般採用144Pin、200Pin 接口;臺式機內存則基本使用 168Pin 和184Pin接口。對應於內存所採用的不同針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前，臺式機系統主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在SIMM 和 DIMM 插槽基礎上發展而來，基本原理並沒有變化，只是在針腳數上略有改變。

1、金手指

金手指(connectingfinger)是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由衆多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱爲“金手指”。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因爲金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過，因爲金昂貴的價格，目前較多的內存都採用鍍錫來代替。從上個世紀90年代開始，錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的“金手指”，幾乎都是採用的錫材料，只有部分高性能服務器/工作站的配件接觸點，纔會繼續採用鍍金的做法，價格自然不菲。

內存的金手指

內存處理單元的所有數據流、電子流，正是通過金手指與內存插槽的接觸與 PC系統進行交換，是內存的輸出輸入端口。因此，其製作工藝，對於內存連接顯得相當重要。

2、內存插槽

最初的計算機系統，通過單獨的芯片安裝內存，那時內存芯片都採用 DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽裏的內存卡與系統連接，此時還沒有正式的內存插槽。DIP芯片有個最大的問題，就在於安裝起來很麻煩，而且隨着時間的增加，由於系統溫度的反覆變化，它會逐漸從插槽裏偏移出來。隨着每日頻繁的計算機啓動和關閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生內存錯誤。

內存插槽

早期還有另外一種方法，是把內存芯片直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了 DIP芯片偏離的問題，但無法再對內存容量進行擴展，而且如果一個芯片發生損壞，整個系統都將不能使用，只能重新焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板。此種方法付出的代價較大，也極爲不便。

對於內存存儲器，大多數現代的系統，都已採用單列直插內存模塊(Single Inline MemoryModule，SIMM)或雙列直插內存模塊(Dual Inline MemoryModule，DIMM)來替代單個內存芯片。這些小板卡插入到主板或內存卡上的特殊連接器裏。

3、內存模塊

1) SIMM

SIMM(Single Inline MemoryModule，單列直插內存模塊)。內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，它多用於早期的 FPM 和 EDD DRAM，最七年級次只能傳輸 8bif 數據，後來逐漸發展出16bit、32bit 的 SIMM 模組。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的則使用72pin接口。在內存發展進入 SDRAM 時代後，SIMM 逐漸被 DIMM 技術取代。

2) DIMM

DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內存模塊)。與 SIMM 相當類似，不同的只是 DIMM 的金手指兩端，不像SIMM 那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號。因此，可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣採用 DIMM，SDRAM 的接口與 DDR內存的接口也略有不同，SDRAMDIMM 爲 168Pin DIMM 結構，金手指每面爲84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒燬;

DDR DIMM則採用 184Pin DIMM 結構，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最爲明顯的區別。DDR2DIMM 爲240pinDIMM 結構，金手指每面有 120Pin，與 DDR DIMM 一樣金手指一樣，也只有一個卡口，但是卡口的位置與 DDR DIMM稍微有一些不同。因此，DDR 內存是插不進 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 內存也是插不進 DDR DIMM 的。因此，在一些同時具有 DDR DIMM和 DDR2 DIMM 的主板上，不會出現將內存插錯插槽的問題。

不同針腳 DIMM 接口對比。爲了滿足筆記本電腦對內存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMMModule)也開發了出來，它的尺寸比標準的 DIMM 要小很多，而且引腳數也不相同。同樣 SO-DIMM 也根據 SDRAM 和 DDR內存規格不同而不同。SDRAM 的 SO-DIMM 只有 144pin引腳，而DDR 的 SO-DIMM 擁有 200pin 引腳。此外，筆記本內存還有MicroDIMM 和 Mini Registered DIMM 兩種接口。MicroDIMM 接口的DDR 爲 172pin，DDR2 爲214pin;Mini Registered DIMM 接口爲 244pin，主要用於 DDR2 內存。

3) RIMM

RIMM(Rambus Inline Memory Module)是 Rambus 公司生產的 RDRAM 內存所採用的接口類型。RIMM 內存與DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM 有也 184 Pin 的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有16 位數據寬度，ECC 版則都是 18 位寬。由於 RDRAM 內存較高的價格，此類內存在 DIY 市場很少見到，RIMM 接口也就難得一見了。